Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123TE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123TE
PDTA123TE,115 Hakkında
PDTA123TE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP ön beslemeli bipolar transistördür (BJT). SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 150mW güç tüketimiyle tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V VCEO dökülme gerilimi ile çalışan transistör, entegre tabanlı ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymaz. 2.2kΩ dahili baz direnci ve 30'lik minimum DC akım kazancı (hFE), düşük güç uygulamalarında geçiş hızı gerektiren devrelerde kullanılır. Ses amplifikasyonu, lojik seviyelendirme ve düşük frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok