Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTA123JT,215 Hakkında
PDTA123JT,215, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleriyle (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) hızlı tasarım ve uygulama kolaylığı sağlar. 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 100mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250mW maksimum güç derecelendirmesi, 100 minimum DC akım kazancı ve 100mV saturasyon gerilimi karakteristikleriyle anahtarlama devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılan güvenilir bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok