Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123JS
PDTA123JS,126 Hakkında
PDTA123JS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paket tipi ile üretilen bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri içerir. 500mW güç yönetimi kapasitesi ile düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. 100mA maksimum collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile darbe devrelerine, anahtarlama uygulamalarına ve sinyal işleme devrelerine uygundur. Dahili 2.2kOhms base direnci ve 47kOhms emitter-base direnci ile hazır kullanım durumundadır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias ağı gerektirmez ve kompakt tasarımlar için idealdir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok