Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JQBZ
PDTA123JQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123JQB
PDTA123JQBZ Hakkında
PDTA123JQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu komponent, yerleşik taban dirençleri (2.2 kΩ ve 47 kΩ) ile hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. 100 mA kolektör akımı, 180 MHz transition frekansı ve 340 mW maksimum güç yeteneğine sahiptir. 50 V breakdown voltajı ve 100 mV saturation voltajı ile dikkat çeken bu transistör, sinyal anahtarlaması, boost kontrol devreleri, motor kontrol ve küçük sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Wettable flank özelliği sayesinde yüzey montajlı üretim proseslerinde güvenilir bağlantı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok