Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123
PDTA123JQAZ Hakkında
PDTA123JQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bir BJT transistördür. 3-XDFN Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter direnişleri (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) ile önceden yapılandırılmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 180MHz transition frekansı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, sinyal değiştirme devreleri ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 280mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok