Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
PDTA123JMB,315 Hakkında
PDTA123JMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Entegre baz direnç ağı (2.2 kΩ baz direnci ve 47 kΩ emitter-baz direnci) ile tasarlanmıştır. DFN1006B-3 yüzey montajı paketin içinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V Vce katılım gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 180 MHz geçiş frekansı ile hızlı komutasyon gerektiren devrelerde yer alır. 250mW maksimum güç harcaması, kart üzerinde sınırlı alan gerektiren uygulamalarda tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 (10mA, 5V'de) olup, sinyal işleme, lojik seviyeleme ve düşük güçlü anahtarlama devreleri için uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok