Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123JE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123JE
PDTA123JE,115 Hakkında
PDTA123JE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 100mA kollektör akımı ve 100V/5V'ta minimum 100 hFE DC akım kazancı ile çalışır. Dahili 2.2kΩ taban direnci ve 47kΩ emitör-taban direnci içerir. 50V maksimum kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 100mV saturasyon gerilimi ile karakterize edilir. Düşük sinyal anahtarlama uygulamalarında, lojik arayüzü ve pre-biased yapısı sayesinde kolay entegrasyon sağlar. Compact yüzey montaj paketinde gürültü ve hassasiyeti gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok