Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123ES
PDTA123ES,126 Hakkında
PDTA123ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter direnç ağlarına sahip olup (her biri 2.2 kΩ), hazır beslemeli tasarımı sayesinde harici baz polarizasyon dirençlerine ihtiyaç duymaz. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 500 mW güç dağıtma kapasitesine sahip olan transistör, 50V VCEO diyelectric dayanımı ile çalışır. 20mA'de 30 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında, özellikle düşük güç tüketimli ve kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Part status obsolete olup, eski tasarımlarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok