Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
PDTA123EMB,315 Hakkında
PDTA123EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli bipolar transistördür. DFN1006B-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 180 MHz transition frekansı ve 250mW maksimum güç derecelendirmesi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. Entegre 2.2kΩ baz ve emitter-baz dirençleri sayesinde ön beslemeli konfigürasyon sağlayarak devre tasarımını basitleştirir. Düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle space-kısıtlı PCB tasarımlarında kullanılır. Active durum parça olarak üretim devam etmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok