Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTA123EMB,315
NEXPERIA PDTA123EMB - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123EMB
PDTA123EMB,315 Hakkında
PDTA123EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipinde pre-biased (önceden önyüklü) küçük sinyal transistörüdür. SOT-883 (SC-101) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı, 50V kırılma gerilimi ve 180MHz geçiş frekansı özelliklerine sahiptir. Dahili 2.2kΩ baz ve emitter-baz dirençleri ile önceden ayarlanmış olup, 250mW maksimum güç tüketimini destekler. Düşük seviyeli akım uygulamalarında anahtar işlevi görmek üzere tasarlanmış olup, taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği ve düşük güçlü kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok