Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTA123EE,115

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
PDTA123EE

PDTA123EE,115 Hakkında

PDTA123EE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, maksimum 150 mW güç tüketimine ve 100 mA kolektör akımına sahiptir. 2.2 kΩ ön beslemeli dirençler ile entegre olmuş tasarımı, devre tasarımını basitleştirir ve hızlı prototyping sağlar. 50 V maksimum kapanma gerilimi ve 150 mV doyum gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük DC kazanç (hFE min: 30), küçük sinyal amplifikasyon ve lojik devre uygulamalarına uygundur. Mevcut durum: Üretim dışı (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package SC-75
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok