Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA115TK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA115
PDTA115TK,115 Hakkında
PDTA115TK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, entegre base direnci (100 kΩ) içerir ve 100 mA'e kadar collector akımı işleyebilir. 250 mW güç disipasyon kapasitesi ve 50V kolektör-emitter gerilim dayanımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 1mA ve 5V şartlarında minimum 100'dür. Düşük satürasyon voltajı (150mV) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Logic seviyeleri tarafından sürülen anahtarlama devreleri, darbe ve sinyal şekillendirme uygulamalarında tercih edilir. Not: Ürün EOL (End of Life) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok