Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTA115ET,215

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTA115ET

PDTA115ET,215 Hakkında

PDTA115ET,215, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, entegre base ve emitter bağlantı dirençleri (her biri 100 kΩ) ile gelir. 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 20mA maksimum kolektor akımı desteği ile, düşük güçlü anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150mV satürasyon gerilimi ile lojik seviyeleri kontrol eden devreler, ses ön kuvvetlendiricileri ve duyar devreler için uygundur. Aktif parça statüsü ile güncel uygulamalarda tercih edilen seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok