Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA115ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA115ES
PDTA115ES,126 Hakkında
PDTA115ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistöründür. TO-92-3 kasa içinde entegre edilmiş 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base dirençleri ile sunulan bu komponent, 500mW güç seviyesinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. Maksimum 20mA kolektör akımı, 50V BVCEO ve 150mV doyma voltajı ile karakterize edilen transistör, ön beslemeli yapısı sayesinde basit driver uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. 80 minimum DC kazanç (@5mA, 5V) sağlar. Şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok