Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA115EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
PDTA115EMB,315 Hakkında
PDTA115EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. DFN1006B-3 yüzey montajlı küçük kasa içinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 20mA collector akımında çalışmaya uygundur. Entegre 100kΩ base ve emitter-base direnç ağı ile donatılmış olup, 180MHz geçiş frekansı özelliğine sahiptir. 250mW güç sınırlaması ile tasarlanan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle logic seviyelerde sürücü devrelerde, ses frekansı uygulamalarında ve düşük sinyal seviyeleri gerektiren entegre devre arayüzü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok