Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTA115EM,315

TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SC-101
Seri / Aile Numarası
PDTA115EM

PDTA115EM,315 Hakkında

PDTA115EM,315, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan bu komponent, entegre baz dirençleriyle (100kΩ ve 100kΩ) sayısal lojik devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50V maksimum besleme gerilimi ve 250mW güç kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, darbe amplifikasyonunda ve bipolar lojik seviye dönüştürme devrelerinde tercih edilir. 20mA maksimum kolektör akımı ve 150mV doyum gerilimi ile düşük güç tüketimi gerektiren portatif cihazlarda, ses-frekans amplifikasyon aşamalarında ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-101, SOT-883
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package SOT-883
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok