Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA115EE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA115
PDTA115EE,115 Hakkında
PDTA115EE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen surface mount PNP ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-75 (SOT-416) kompakt paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç dissipasyonuna sahiptir. İçerisine entegre 100kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunmaktadır. 20mA maksimum collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) değeri 5mA, 5V koşullarında minimum 80'dir. Saturation voltajı 150mV @ 250µA, 5mA olup, bu özellik switching uygulamalarında avantaj sağlar. Cihaz seviyesi lojik devreler, pulse amplification ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ön beslemeli tasarımı sayesinde biyasing gereksinimini ortadan kaldırır ve devre tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok