Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114YS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114YS
PDTA114YS,126 Hakkında
PDTA114YS,126 NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 500mW güç derecelendirmesi ile TO-92-3 (TO-226-3) paketinde sunulur. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V Vce(breakdown) napılığı ile düşük güçlü sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. Entegre 10kΩ taban direnci ve 47kΩ emitter-taban direnci sayesinde kullanıma hazır tasarımlanmıştır. 100@5mA,5V DC akım kazancı ve 100mV Vce(sat) doyum gerilimi özellikleriyle lojik seviyeleri sürmeye ve çıkış amplifikasyonuna elverişlidir. Kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal yönetiminde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok