Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114YQBZ
PDTA114YQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114
PDTA114YQBZ Hakkında
PDTA114YQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter-baz dirençleri (R1: 10kΩ, R2: 47kΩ) içerir. Maksimum kolektör akımı 100mA, DC akım kazancı 100@5mA/5V, geçiş frekansı 180MHz'dir. Doyum gerilimi 100mV@250µA/5mA ve en yüksek P-E açılım gerilimi 50V'dur. 340mW güç sınırlaması ile çalışan bu transistör, kılıf montajı ve hassas ön beslemesi nedeniyle, sürücü, anahtarlama ve ses amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount wettable flank özelliği ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok