Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114YQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114YQAZ
PDTA114YQAZ Hakkında
PDTA114YQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN DFN1010D-3 paketi içinde sunulan bu komponent, entegre baz (10kΩ) ve emitter-baz (47kΩ) dirençleri ile donatılmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 180MHz transition frekansı ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile çalışan transistör, 280mW güç tüketiminde tasarlanmıştır. Vce doyum gerilimi 100mV @ 250µA/5mA ve DC akım kazancı minimum 100 @ 5mA/5V'dur. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları, gürültü düşürme devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılmaktadır. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye montajlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok