Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114TS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114TS
PDTA114TS,126 Hakkında
PDTA114TS,126 NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mW güç tüketimiyle düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 10 kΩ base direnci ile kolayca devreye entegre edilebilir. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 200 minimum hFE (1 mA, 5V'da) değeriyle genel amaçlı anahtarlama devrelerinde, sinyal işleme ve lojik seviyeleri tersine çevrilmesi gereken uygulamalarda tercih edilir. 50V maksimum breakdown voltajı ile orta gerilim uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok