Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTA114ET,235

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTA114ET

PDTA114ET,235 Hakkında

PDTA114ET,235, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, entegre baz ve emitter dirençlerine sahiptir. 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile düşük gücü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 250mW güç yayma kapasitesine sahiptir. Tipik olarak lojik devreler, sensor arabirimleri ve düşük akımlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 30 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150mV maksimum saturasyon gerilimi sayesinde hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok