Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTA114ET,215

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTA114ET

PDTA114ET,215 Hakkında

PDTA114ET,215, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre 10 kΩ base ve emitter-base dirençleri ile yapılandırılmıştır. Maksimum 100 mA kolektör akımı, 50 V çalışma voltajı ve 250 mW güç harcaması kapasitesi ile ön beslemeli transistör uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 30 (minimum, 5mA/5V'ta), doyum voltajı ise 150 mV'dur. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal kontrol devreleri başta olmak üzere düşük güçlü analog ve dijital uygulamalarda tercih edilir. Active durum kısmında bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok