Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114ES
PDTA114ES,126 Hakkında
PDTA114ES,126 NXP tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 kasa içinde sunulan bu transistör, maksimum 500 mW güç yönetimi kapasitesine ve 100 mA kollektör akımına sahiptir. Entegre 10 kΩ base ve 10 kΩ emitter-base direnç ağına sahip olan bu komponent, 50 V maksimum kollektor-emitter breakdown voltajı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 5 mA, 5V koşullarında minimum 30'dur. Düşük akım uygulamalarında, özellikle 10 mA'nin altında çalışan devrelerde tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias ağı tasarım gereksinimleri azaltır. Küçük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, consumer electronics ve düşük güç analog devrelerde kullanım görebilir. Parça güncel üretilmemekte olup, stokta olan varyasyonları kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok