Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114EQBZ
PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114EQ
PDTA114EQBZ Hakkında
PDTA114EQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 180MHz transition frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre olarak taşıdığı 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base direnç değerleri ile ön beslemeli tasarım sayesinde harici biyaslandırma komponentlerine gerek duymaz. 340mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel sinyal kontrol ve anahtarlama devreleri, ses uygulamaları ve portable elektronik cihazlarda tercih edilir. SMD wettable flank montaj tipi, modern PCB üretim yöntemleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok