Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114
PDTA114EQAZ Hakkında
PDTA114EQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 3-XDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı, 180MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı özellikleriyle tasarlanmıştır. İntegre 10kΩ baz ve emitter baz dirençleriyle donatılmış olup, 280mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 5V koşullarında minimum 30 değerindedir. Saturation voltajı 150mV olarak belirtilmiştir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ek biyaz devrelerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir. Hızlı switching uygulamaları, darbe sayıcıları ve lojik seviye kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Surface mount tekniğiyle PCB'ye entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok