Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
PDTA114EMB,315 Hakkında
PDTA114EMB,315, Nexperia tarafından üretilen yüksek frekans PNP ön beslemeli transistörüdür. DFN1006B-3 yüzey montajlı paket içinde 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile entegre edilmiş olarak sunulur. 180 MHz transition frekansı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç kaybı ile RF ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum collector akımı, 150mV saturasyon voltajı ve 30 minimum DC current gain özellikleri ile anahtar ve amplifikasyon devrelerinde yer alan küçük form faktörlü bir çözümdür. Wearable cihazlar, IoT modülleri ve kompakt tüketici elektroniğinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok