Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114EMB,315
NOW NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114
PDTA114EMB,315 Hakkında
PDTA114EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli küçük sinyal transistörüdür. 250 mW güç tüketimine kadar çalışabilen bu komponent, 100 mA maksimum kolektör akımı ile çalışır ve 180 MHz transition frequency özelliğine sahiptir. İçerisinde 10 kΩ base ve emitter-base direnç değerlerine sahip yapı sayesinde kullanıma hemen başlama imkanı sağlar. 50V BVCEO ile güvenli bir çalışma aralığı sunur. SC-101 (DFN1006B-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreler, düşük seviyeli sinyal işleme, ve genel amaçlı komplementer BJT uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok