Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA114EK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA114
PDTA114EK,115 Hakkında
PDTA114EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP pre-biased transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri içermektedir. Maksimum 250mW güç tüketimi, 100mA kollektör akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile karakterize edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde direkt uygulama devrelerine monte edilebilir, düşük sinyal işleme, anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC current gain 30 (5mA, 5V'de) değeriyle, küçük sinyallerin kontrolü ve anahtarlama işlevlerinde tercih edilir. Surface mount teknolojisinin avantajını sunarak yoğun PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok