Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113ZS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA113
PDTA113ZS,126 Hakkında
PDTA113ZS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar junction transistördür. TO-92-3 (TO-226AA) through-hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mW güç tüketimi ile çalışır. Entegre baz direnci (1kΩ) ve emitter-baz direnci (10kΩ) ile önceden polarize edilen tasarımı sayesinde, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında ek direnç gereksinimi azaltır. 100mA maksimum kolektör akımı, 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile sinyal işleme, röle sürücüleri ve düşük gücü aygıtların kontrolünde kullanılmaktadır. Maksimum Vce saturasyon değeri 150mV'dir. Komponent sürü üretimi durdurulmuş olmakla birlikte, eski tasarım ve bakım uygulamalarında yedek parça olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok