Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113ZE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA113
PDTA113ZE,115 Hakkında
PDTA113ZE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 150 mW güç kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Dahili 1 kΩ base ve 10 kΩ emitter-base dirençleri ile karakterize edilen cihaz, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 35 minimum DC kazançı (hFE) özelliklerine sahiptir. 50 V kollektör-emitter kırılma voltajı, 150 mV saturasyon voltajı ve 1 µA maksimum cutoff akımı ile belirtilir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında, düşük frekanslı sinyal işleme ve SSB sınıfı devreler gibi alanlarda çalışma görebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok