Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113ET,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTA113ET,215 Hakkında
PDTA113ET,215, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 1kΩ) ile tasarlanmıştır. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve maksimum 100mA kolektör akımı kapasitesi ile çalışır. 150mV saturasyon voltajı ve 250mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Önceden polarize edilmiş yapısı sayesinde harici bias bağlantılarına ihtiyaç duymadan doğrudan lojik sinyal kontrolünde ve kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok