Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA113ES
PDTA113ES,126 Hakkında
PDTA113ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paket içerisinde integre olarak sunulan 1 kOhm base ve 1 kOhm emitter-base dirençleri ile harici direnç gereksiniminini azaltır. Maksimum 500 mW güç tüketimine ve 100 mA kollektör akımına sahiptir. 50V kollektör-emitter gerilim dayanımı ile göreceli orta gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Özellikle düşük akımda anahtarlama uygulamaları, sinyallendirilmiş yükler ve basit amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Ancak bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok