Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
PDTA113EMB,315 Hakkında
PDTA113EMB,315, Nexperia tarafından üretilen yüzey montajlı PNP ön beslemeli transistördür. DFN1006B-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektör akımı 100 mA, gerilim dayanımı 50 V ve maksimum güç tüketimi 250 mW'tır. Giriş ve emitter-taban dirençleri her biri 1 kOhms olarak entegre edilmiştir. 180 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Tipik olarak sinyal anahtarlama, düşük güç amplifikasyon ve lojik seviye kaydırma devrelerinde tercih edilir. 30 mA kolektör akımında 150 mV'luk doyum gerilimi, 40 mA'de minimum 30 DC akım kazancı özellikleriyle kompakt tasarım ve kontrol uygulamalarında elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok