Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113EK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA113
PDTA113EK,115 Hakkında
PDTA113EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 250mW güç seviyesinde çalışır ve maksimum 100mA kolektör akımını destekler. İçerisinde entegre 1kΩ base ve 1kΩ emitter-base direnç bulunduran bu transistör, sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal kontrolü gibi alçak seviye lojik kontrol işlevlerinde kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mV doyum voltajı ile kompakt tasarımların gerektirdiği hassas anahtarlama uygulamalarına uyundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici ek bileşenler gerektirmeksizin hızlı ve güvenilir komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok