Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA113EE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA113EE
PDTA113EE,115 Hakkında
PDTA113EE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 150 mW maksimum güç dissipasyonu ile çalışır. Entegre tabanı dirençleri (R1: 1 kOhm, R2: 1 kOhm) ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 50 V CE ayırılması voltajı ve 30 @ 40mA, 5V koşullarında DC kazancı ile karakterizedir. 1µA maksimum kollektör kapalı durumu akımı ve 150mV saturasyon voltajı sayesinde düşük güç uygulamalarında ve dijital devreler için sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleri sürücü uygulamaları gibi alanlarda kullanılır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok