Transistörler - FET, MOSFET - RF
PD20015S-E
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PD20015S
PD20015S-E Hakkında
PD20015S-E, STMicroelectronics tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF N-kanal FET transistörüdür. PowerSO-10 kasa türünde sunulan bu bileşen, 2GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 40V nominal gerilim, 7A akım kapasitesi ve 15W çıkış gücü ile RF güçlendirme uygulamalarında kullanılır. 11dB kazanç değeri ile mobil iletişim, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Bileşen, ham pad tasarımı sayesinde geliştirilmiş ısı dağıtımı sağlar. Dikkat: Bu parça üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Current Rating (Amps) | 7A |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Package / Case | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 15W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 13.6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok