Transistörler - FET, MOSFET - RF
PD20010TR-E
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PD20010
PD20010TR-E Hakkında
PD20010TR-E, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanallı LDMOS RF transistörüdür. 40V nominal çalışma gerilimi ile tasarlanmış olup, 5A akım yeteneğine ve 10W çıkış gücüne sahiptir. 2GHz frekans aralığında 11dB kazanç sağlayan bu bileşen, RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerSO-10RF kapsülü ile üretilen transistör, yüksek verimlilik gerektiren haberleşme ve sinyal işleme sistemlerinde yer alır. Bileşen obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüdedir ve yerini daha yeni versiyonlar almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 5A |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Package / Case | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 13.6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok