Transistörler - FET, MOSFET - RF
PD20010STR-E
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PD20010STR
PD20010STR-E Hakkında
PD20010STR-E, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. PowerSO-10RF paketinde sunulan bu bileşen, 40V çalışma voltajı ve 5A akım kapasitesiyle RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2GHz frekans aralığında 11dB kazanç ve 10W çıkış gücü özellikleriyle, kablosuz iletişim sistemleri, broadcast cihazları ve endüstriyel RF uygulamalarında RF ön kademesi ve driver aşamalarında yer alabilir. Parça güncel üretimde bulunmamakta olup, mevcut tasarımlar için alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 5A |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Package / Case | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 13.6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok