Transistörler - FET, MOSFET - RF
PD20010S-E
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PD20010S
PD20010S-E Hakkında
PD20010S-E, STMicroelectronics tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF N-kanallı FET transistördür. PowerSO-10RF paketinde sunulan bu bileşen, 40V rated voltajda ve 2GHz frekans aralığında çalışmaya uygun şekilde tasarlanmıştır. 10W çıkış gücü ve 11dB kazançla RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5A akım kapasitesi ile mobil iletişim, radyo frekans ve broadcast sistemlerinde RF güç amplifikatörü olarak uygulanabilir. Entegre soğutma özellikleri ile verimli ısı yönetimi sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 5A |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Package / Case | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 13.6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok