Transistörler - FET, MOSFET - RF
PD20010-E
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PD20010
PD20010-E Hakkında
PD20010-E, STMicroelectronics tarafından üretilen RF N-kanal LDMOS FET transistördür. PowerSO-10RF paketinde sunulan bu bileşen, 40V nominal çalışma voltajında 5A akım kapasitesi ve 10W çıkış gücü sağlar. 2GHz frekans aralığında 11dB kazanç ile çalışan transistör, RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150mA test akımında 13.6V test voltajına sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Current Rating (Amps) | 5A |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Package / Case | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 10W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 13.6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok