Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDP1665G1_T0_00001
TO-220AC, SIC
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDP1665G1
PCDP1665G1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PCDP1665G1_T0_00001, 650V SiC Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 16A ortalama doğrultulmuş akımda 1.7V ileri gerilimi ile karakterizedir. Silicon Carbide teknolojisine dayalı tasarımı, sıfır reverse recovery time (trr) sağlayarak anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motorlu sistemlerde doğrultma işlevini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 618pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 16 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok