Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDP1265G1_T0_00001
TO-220AC, SIC
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDP1265G1
PCDP1265G1_T0_00001 Hakkında
PCDP1265G1_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220AC paketinde sunulan bu doğrultma diyotu, 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve 1.7V maksimum iletkçi gerilime sahiptir. Sıfır reverse recovery time karakteristiği ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmaya uygun olan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük kapasite değeri (452pF @ 1V, 1MHz) ve 80µA maksimum geri sızıntı akımı sayesinde güç dönüştürme, invertör ve AC/DC adaptör uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı ile endüstriyel ve ticari donanımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 452pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok