Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDP1065G1_T0_00001
TO-220AC, SIC
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDP1065G1
PCDP1065G1_T0_00001 Hakkında
PCDP1065G1_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220AC paketinde sunulan bu bileşen, 10A DC doğrultma akımı ve 650V ters gerilim dayanımı ile çalışır. 1.7V forward voltage değerine sahip olan diyot, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilmektedir. SiC (Silikon Karbür) teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time sunan bu bileşen, yüksek frekans uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında ve endüstriyel doğrultma devrelerinde kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'lere kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 364pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok