Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDP0465G1_T0_00001
TO-220AC, SIC
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDP0465G1
PCDP0465G1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PCDP0465G1_T0_00001, 650V reverse voltaj kapasitesine sahip Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-220AC paketi ile sunulan bu komponent, 4A DC ortalama doğrultulmuş akım sağlar ve 1.7V maksimum forward voltajda çalışır. 0ns reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında minimize edilmiş kayıplar sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışan cihazda through-hole montaj ile entegrasyonu yapılır. Güç dönüştürücüleri, invertörler, PFC devreleri ve yüksek hızlı doğrultma uygulamalarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 146pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok