Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD1065G1_L2_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD1065G1
PCDD1065G1_L2_00001 Hakkında
PCDD1065G1_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky Barrier diyottur. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve 1.7V maksimum ileri voltaj düşüşüne sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, 0 ns ters kurtarma süresine (reverse recovery time) sahip olması sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. 650V ters voltaj dayanımı ve 70µA ters kaçak akımı ile güç dönüşüm devrelerinde, şarj cihazlarında, inverter ve converter uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 364pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok