Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD10120G1_L2_00001
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD10120G1
PCDD10120G1_L2_00001 Hakkında
PCDD10120G1_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 10A DC doğrultma akımı kapasitesine sahip bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan güç dönüştürücü devrelerinde tercih edilir. 0 ns reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama işlemlerinde enerji kayıplarını minimize eder. TO-252-3 (DPak) paket tipinde surface mount konfigürasyonu ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabilite gösterir. Solar inverterler, EV şarj sistemleri, endüstriyel güç kaynakları ve yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 529pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok