Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD0865G1_L2_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD0865G1
PCDD0865G1_L2_00001 Hakkında
PCDD0865G1_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 8A DC doğrultma kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük forward voltage (1.7V @ 8A) ve sıfır reverse recovery time karakteristiği ile anahtarlama hızını artırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 60µA @ 650V düşük kaçak akımı özellikleriyle, şarj kontrol devreleri, PFC (Power Factor Correction), güç kaynakları ve converter uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 296pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok