Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD08120G1_L2_00001
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD08120G1
PCDD08120G1_L2_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PCDD08120G1_L2_00001, 1200V dayanım sağlayan Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 8A DC ortalama doğrultulu akım kapasitesiyle tasarlanmış olan bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamalarında sıfır geri kazanım süresi (reverse recovery time) sunmaktadır. 1.7V maksimum ileri gerilim ve 60µA ters sızıntı akımı özellikleriyle güç dönüştürme, şarj etme devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montajı desteği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır, 1MHz'de 418pF kapasitansa sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 418pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok