Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PCDD0665G1_L2_00001
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PCDD0665G1
PCDD0665G1_L2_00001 Hakkında
PCDD0665G1_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V SiC (Silikon Karbid) Schottky Barrier Diyotudur. TO-252-3 DPak paketinde sunulan bu bileşen, 6A DC ortalama doğrultulmuş akımda çalışmak üzere tasarlanmıştır. 1.7V forward voltaj düşümü ile yüksek verimlilik sağlar. 0ns reverse recovery time özelliğinden dolayı hızlı anahtarlamaya sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri, endüstriyel uygulamalar ve yenilenebilir enerji sistemlerinde kullanılır. Düşük kapasitans (228pF @ 1V) ve minimal ters sızıntı akımı (50µA @ 650V) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 228pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok